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武汉普赛斯仪表

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店铺信息
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武汉普赛斯仪表
店铺地址
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东湖新技术开发区光谷三路777号—6号保税物流园2号楼4楼
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陶女士
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IC芯片电性能IV曲线扫描数字源表
芯片测试作为芯片设计、生产、封装、测试流程中的重要步骤,是使用特定仪器,通过对待测器件DUT(DeviceUnderTest)的检测,区别缺陷、验证器件是否符合设计目标、分离器件好坏的过程。其中直流参数测试是检验芯片电性能的重要手段之一,常用的测试方法是FIMV(加电流测电压)及FVMI(加电压测电...
mos管电性能测试IV曲线分析数字源表
MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是  一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件,可 以 广 泛 应 用 在 模 拟 电 路 和 数 字 电 路 当 中 。   MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳纳米管等材料制作,是材料及器件研究的热点。主要参数有 输 入 / 输 出...
二三极管电性能测试VI曲线源表
二极管IV扫描源表以电压为横坐标,电流为纵坐标作出元件的电压—电流关系曲线,叫做该元件的伏安特性曲线即V-I曲线。...
纳米材料高温原位表征及测试VI源表
纳米材料高温原位表征及测试数字源表方案通过MEMS芯片在原位样品台内对样品构建精细热场自动调通过MEMS芯片在原位样品台内对样品构建精细热场自动调控及反馈测量系统,并结合TEM/SEM研究材料在不同热场条件下发生结构相变、形貌变化、物性变化以及电性变化等关键信息。...
纳米电极材料性能表征SMU数字源表
概述纳米材料,定义为粒径在1-100纳米之间一类超细材料,具有表面效应、小尺寸效应、宏观量子隧道效应等一些特殊物理化学性能。由于结构有比表面积大,粒径小,表面原子比例高等特点,使得纳米材料在电学、热力学以及催化等多个方面有D...
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